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硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法

Test method for sheet resistance of silicon epitaxial，diffused and ion-implanted layersusing a collinear four-probe array
国家标准 推荐性 废止

国家标准《硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法》 由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口 ，主管部门为国家标准委。

主要起草单位 峨眉半导体材料研究所 。

目录

标准状态

  1. 发布
  2. 实施
  3. 废止
当前标准

GB/T 14141-1993 废止

硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法
被以下标准替代

GB/T 14141-2009 （全部代替）

硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法

基础信息

标准号
GB/T 14141-1993
发布日期
1993-02-06
实施日期
1993-10-01
废止日期
2010-06-01
标准类别
方法
中国标准分类号
H21
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会
执行单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会
主管部门
国家标准委

采标情况

本标准等效采用ITU国际标准：ASTM 374:1984。

采标中文名称:。

起草单位

峨眉半导体材料研究所

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