国家标准 - 全国标准信息公共服务平台

国家标准《硅片径向电阻率变化的测量方法》由610（中国有色金属工业协会）归口，主管部门为中国有色金属工业协会。

主要起草单位峨嵋半导体材料研究所。

目录

标准状态

当前标准

GB/T 11073-1989 废止

硅片径向电阻率变化的测量方法

被以下标准替代

GB/T 11073-2007 （全部代替）

硅片径向电阻率变化的测量方法

基础信息

标准号: GB/T 11073-1989
发布日期: 1989-03-31
实施日期: 1990-02-01
废止日期: 2008-02-01

标准类别: 方法
中国标准分类号: H21
归口单位: 中国有色金属工业协会
执行单位: 中国有色金属工业协会
主管部门: 中国有色金属工业协会

起草单位

峨嵋半导体材料研究所

相近标准(计划)

20233945-T-610 硅片径向电阻率变化测量方法

GB/T 11073-2007 硅片径向电阻率变化的测量方法

GB/T 14144-2009 硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法

JB/T 3573-2004 滚动轴承径向游隙的测量方法

SJ/T 11627-2016 太阳能电池用硅片电阻率在线测试方法

GB/T 6617-2009 硅片电阻率测定扩展电阻探针法

GB/T 6618-2009 硅片厚度和总厚度变化测试方法

GB/T 25769-2010 滚动轴承径向游隙的测量方法

SJ/T 11487-2015 半绝缘半导体晶片电阻率的无接触测量方法

GB/T 29505-2013 硅片平坦表面的表面粗糙度测量方法

版权所有侵权必究
主管：国家市场监督管理总局国家标准化管理委员会
主办：国家市场监督管理总局国家标准技术审评中心
技术支持：北京中标赛宇科技有限公司
支持电话：010-82261036
备案号：京ICP备18022388号-1