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国家标准《硅片径向电阻率变化的测量方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）、全国有色金属标准化技术委员会联合归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准委。

主要起草单位峨嵋山半导体材料厂。

目录

标准状态

代替了以下标准

GB/T 11073-1989 （全部代替）

硅片径向电阻率变化的测量方法

当前标准

GB/T 11073-2007 现行

硅片径向电阻率变化的测量方法

修订计划

20233945-T-610 正在征求意见

硅片径向电阻率变化测量方法

基础信息

标准号: GB/T 11073-2007
发布日期: 2007-09-11
实施日期: 2008-02-01
全部代替标准: GB/T 11073-1989

标准类别

方法

中国标准分类号

H17

国际标准分类号

77.040.01

77 冶金

77.040 金属材料试验

77.040.01 金属材料试验综合

归口单位

全国半导体设备和材料标准化技术委员会、全国有色金属标准化技术委员会

副归口单位

全国有色金属标准化技术委员会

执行单位

全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会

主管部门

国家标准委

起草单位

峨嵋山半导体材料厂

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