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国家标准计划《用于HEMT功率器件的硅衬底氮化镓外延片》由 TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,TC203SC2(全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会)执行 ,主管部门为国家标准委。 拟实施日期:发布后6个月正式实施。

主要起草单位 苏州晶湛半导体有限公司 、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 、华润微电子(重庆)有限公司 、厦门市三安集成电路有限公司 、珠海镓未来科技有限公司 、广东工业大学 、大连理工大学 、中山大学 、北京中博芯半导体科技有限公司 、中国科学院微电子研究所 、工业和信息化部电子第五研究所 、北京大学东莞光电研究院 、南京盛鑫半导体材料有限公司 、重庆平创半导体研究院有限责任公司 、江苏能华微电子科技发展有限公司 。

主要起草人 向鹏 、程凯 、杨露 、高伟 、郑晨焱 、叶念慈 、张铭宏 、贺致远 、黄火林 、刘扬 、陈正昊 、康玄武 、施宜军 、刘强 、宋占洋 、陈显平 、夏远洋 。

目录

项目进度

当前标准计划

20260731-T-469 已发布

用于HEMT功率器件的硅衬底氮化镓外延片
已发布标准

基础信息

计划号
20260731-T-469
制修订
制定
项目周期
6个月
标准类别
产品
中国标准分类号
H83
国际标准分类号
29.045
29 电气工程
29.045 半导体材料
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会
执行单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会
主管部门
国家标准委

起草单位

起草人

向鹏
程凯
郑晨焱
叶念慈
黄火林
刘扬
施宜军
刘强
夏远洋
杨露
高伟
张铭宏
贺致远
陈正昊
康玄武
宋占洋
陈显平

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