注册

国家标准《半导体器件 微电子机械器件 第 36 部分:MEMS 压电薄膜的环境及介电耐压试验方法》 由TC599(全国集成电路标准化技术委员会)、全国微机电技术标准化技术委员会联合归口 ,主管部门为工业和信息化部(电子)

主要起草单位 工业和信息化部电子第五研究所中国电子技术标准化研究院广东工业大学中国科学院微电子研究所电子科技大学

主要起草人 黄钦文刘若冰何春华路国光周斌焦斌斌苏伟涂程董显山韦覃如黄鑫龙

目录

标准状态

当前标准

GB/T 42709.36-2026 即将实施

半导体器件 微电子机械器件 第 36 部分:MEMS 压电薄膜的环境及介电耐压试验方法

基础信息

标准号
GB/T 42709.36-2026
发布日期
2026-07-30
实施日期
2027-02-01
标准计划
20231775-T-339
标准类别
方法
中国标准分类号
L55
国际标准分类号
31.200
31 电子学
31.200 集成电路、微电子学
归口单位
全国集成电路标准化技术委员会全国微机电技术标准化技术委员会
副归口单位
全国微机电技术标准化技术委员会
执行单位
全国集成电路标准化技术委员会
主管部门
工业和信息化部(电子)

采标情况

本标准等同采用IEC国际标准:IEC 62047-36:2019。

采标中文名称:半导体器件 微电子机械器件 第 36 部分:MEMS 压电薄膜的环境及介电耐受试验方法。

起草单位

起草人

黄钦文
刘若冰
周斌
焦斌斌
董显山
韦覃如
何春华
路国光
苏伟
涂程
黄鑫龙

相近标准(计划)