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国家标准计划《重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的测试 红外反射法》由 TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,TC203SC2(全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会)执行 ,主管部门为国家标准委。 拟实施日期:发布后6个月正式实施。

主要起草单位 浙江金瑞泓科技股份有限公司有色金属技术经济研究院有限责任公司南京盛鑫半导体材料有限公司中电晶华(天津)半导体材料有限公司山东有研艾斯半导体材料有限公司西安龙威半导体有限公司浙江大学麦斯克电子材料股份有限公司布鲁克(北京)科技有限公司珀金埃尔默企业管理(上海)有限公司赛默飞世尔科技(中国)有限公司上海优睿谱半导体设备有限公司青海沅平新能源科技有限公司

主要起草人 李慎重张海英李素青许峰梁兴勃蒋玉龙葛华李明达张宏浩马林宝马向阳刘丽娟贺东江赵跃方伟宇李云鹏庄育军韩云霄雷浩东袁文战

目录

项目进度

修订了以下标准

GB/T 14847-2010 (全部代替)

重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法
当前标准计划

20240143-T-469 已发布

重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的测试 红外反射法

基础信息

计划号
20240143-T-469
制修订
修订
项目周期
16个月
下达日期
2024-03-25
标准类别
方法
中国标准分类号
H21
国际标准分类号
77.040
77 冶金
77.040 金属材料试验
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会
执行单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会
主管部门
国家标准委

起草单位

起草人

李慎重
张海英
梁兴勃
蒋玉龙
张宏浩
马林宝
贺东江
赵跃
庄育军
韩云霄
李素青
许峰
葛华
李明达
马向阳
刘丽娟
方伟宇
李云鹏
雷浩东
袁文战

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