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硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法

Silicon epitaxial layers--Determination of carrier concentration--Mercury probe Valtage-capacitance method
国家标准 推荐性 废止

国家标准《硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法》 由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口 ，主管部门为国家标准化管理委员会。

主要起草单位 上海市有色金属总公司 。

目录

标准状态

  1. 发布
  2. 实施
  3. 废止
当前标准

GB/T 14146-1993 废止

硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法
被以下标准替代

GB/T 14146-2009 （全部代替）

硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法

基础信息

标准号
GB/T 14146-1993
发布日期
1993-02-06
实施日期
1993-10-01
废止日期
2010-06-01
标准类别
方法
中国标准分类号
H21
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会
执行单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会
主管部门
国家标准化管理委员会

采标情况

本标准非等效采用ITU国际标准：DIN 50439:1982。

采标中文名称:。

起草单位

上海市有色金属总公司

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