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国家标准计划《半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第1部分:缺陷分类》由 TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,TC203SC2(全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会)执行 ,主管部门为国家标准委。 拟实施日期:发布后6个月正式实施。

主要起草单位 河北半导体研究所(中国电子科技集团公司第十三研究所)山东天岳先进科技股份有限公司之江实验室浙江大学中国电子科技集团公司第四十六研究所中国科学院半导体研究所中电化合物半导体有限公司广东天域半导体股份有限公司TCL环鑫半导体(天津)有限公司山西烁科晶体有限公司河北普兴电子科技股份有限公司深圳创智芯联科技股份有限公司深圳市晶扬电子有限公司广州弘高科技股份有限公司常州臻晶半导体有限公司深圳超盈智能科技有限公司深圳市星汉激光科技股份有限公司中微半导体(上海)有限公司

主要起草人 房玉龙芦伟立李佳张冉冉张红岩王健李丽霞殷源李振廷张建锋徐晨杨青刘立娜钮应喜金向军丁雄杰刘薇杨玉聪魏汝省吴会旺姚玉高东兴王辉陆敏夏俊杰周少丰郭世平

目录

项目进度

当前标准计划

20214653-T-469 已发布

半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第1部分:缺陷分类

基础信息

计划号
20214653-T-469
制修订
制定
项目周期
18个月
下达日期
2021-12-31
标准类别
基础
中国标准分类号
L90
国际标准分类号
31.080.99
31 电子学
31.080 半导体分立器件
31.080.99 其他半导体分立器件
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会
执行单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会
主管部门
国家标准委

起草单位

起草人

房玉龙
芦伟立
张红岩
王健
李振廷
张建锋
刘立娜
钮应喜
刘薇
杨玉聪
姚玉
高东兴
夏俊杰
周少丰
李佳
张冉冉
李丽霞
殷源
徐晨
杨青
金向军
丁雄杰
魏汝省
吴会旺
王辉
陆敏
郭世平

采标情况

本标准等同采用IEC国际标准:IEC 63068-1:2019。

采标中文名称:半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第1部分:缺陷分类。

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