国家标准计划《半导体器件 内部金属层间的时间相关介电击穿（TDDB）试验》由 TC78（全国半导体器件标准化技术委员会）归口 ，主管部门为工业和信息化部（电子）。 拟实施日期：发布后3个月正式实施。

主要起草单位 工业和信息化部电子第五研究所 、吉林华微电子股份有限公司 、广东科信电子有限公司 、中国电子科技集团公司第二十四研究所 、广东汇芯半导体有限公司 、上海交通大学 、青岛芯瑞智能控制有限公司 、电子科技大学 。

主要起草人 高汭 、陈义强 、王铁羊 、柯佳键 、冯宇翔 、雷志锋 、方文啸 、杨晓锋 、俞鹏飞 、来萍 、常江 、罗俊 、纪志罡 、李治平 、宫玉彬 。

本标准等同采用IEC国际标准：IEC 62374-1:2010。

采标中文名称:半导体器件 第1部分: 内部金属层间的时间相关（电）介质击穿（TDDB）试验。