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国家标准计划《碳化硅外延片表面缺陷的测试 激光散射法》由 TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,TC203SC2(全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会)执行 ,主管部门为国家标准委。 拟实施日期:发布后6个月正式实施。

主要起草单位 安徽长飞先进半导体有限公司 、广东天域半导体股份有限公司 、安徽芯乐半导体有限公司 、南京国盛电子有限公司 、浙江芯科半导体有限公司 、河北普兴电子科技股份有限公司 、中国科学院半导体研究所 。

主要起草人 钮应喜 、袁松 、张会娟 、刘敏 、仇光寅 、李京波 、彭铁坤 、袁肇耿 、杨龙 、闫果果 。

目录

项目进度

当前标准计划

20203728-T-469 已发布

碳化硅外延片表面缺陷的测试 激光散射法
已发布标准

基础信息

计划号
20203728-T-469
制修订
制定
项目周期
24个月
下达日期
2020-11-19
标准类别
方法
中国标准分类号
H21
国际标准分类号
77.040
77 冶金
77.040 金属材料试验
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会
执行单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会
主管部门
国家标准委

起草单位

起草人

钮应喜
袁松
仇光寅
李京波
杨龙
闫果果
张会娟
刘敏
彭铁坤
袁肇耿

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