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国家标准《硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的测量 X射线光电子能谱法》 由TC608(全国表面化学分析标准化技术委员会)归口 ,主管部门为中国科学院

主要起草单位 中国科学院化学研究所中国计量科学研究院

主要起草人 刘芬王海赵良仲宋小平赵志娟邱丽美

目录

标准状态

当前标准

GB/T 25188-2010 现行

硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的测量 X射线光电子能谱法
修订计划

20253804-T-491 正在征求意见

表面化学分析 X射线光电子能谱 氧化硅层厚度的测量

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基础信息

标准号
GB/T 25188-2010
发布日期
2010-09-26
实施日期
2011-08-01
上次复审日期
2025-08-06
上次复审结论
修订
标准类别
方法
中国标准分类号
G04
国际标准分类号
71.040.40
71 化工技术
71.040 分析化学
71.040.40 化学分析
归口单位
全国表面化学分析标准化技术委员会
执行单位
全国表面化学分析标准化技术委员会
主管部门
中国科学院

起草单位

起草人

刘芬
王海
赵志娟
邱丽美
赵良仲
宋小平

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