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国家标准《硅单晶电阻率测定方法》 由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口 ,主管部门为国家标准委

主要起草单位 信息产业部专用材料质量监督检验中心中国电子科技集团公司第四十六研究所

主要起草人 李静何秀坤张继荣段曙光

目录

标准状态

代替了以下标准

GB/T 1551-1995 (全部代替)

硅、锗单晶电阻率测定 直流两探针法

GB/T 1552-1995 (全部代替)

硅、锗单晶电阻率测定 直排四探针法
当前标准

GB/T 1551-2009 废止

硅单晶电阻率测定方法
被以下标准替代

GB/T 1551-2021 (全部代替)

硅单晶电阻率的测定 直排四探针法和直流两探针法

基础信息

标准号
GB/T 1551-2009
发布日期
2009-10-30
实施日期
2010-06-01
废止日期
2021-12-01
全部代替标准
GB/T 1551-1995,GB/T 1552-1995
标准类别
方法
中国标准分类号
H80
国际标准分类号
29.045
29 电气工程
29.045 半导体材料
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会
执行单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会
主管部门
国家标准委

采标情况

本标准修改采用其他国际标准:SEMI MF 84-1105、SEMI MF 397-1106。

采标中文名称:硅片电阻率测定四探针法、硅棒电阻率测定两探针法。

起草单位

起草人

李静
何秀坤
张继荣
段曙光

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