国家标准《半导体器件 基于感性负载开关应力的氮化镓（GaN）晶体管可靠性试验方法 》 由TC78（全国半导体器件标准化技术委员会）归口 ，主管部门为工业和信息化部（电子）。

主要起草单位 工业和信息化部电子第五研究所 、电子科技大学 、大连理工大学 、广东工业大学 、南京大学 、深圳平湖实验室 、广东致能半导体有限公司 、东南大学 、西安电子科技大学 、深圳飞骧科技股份有限公司 、成都信息工程大学 、北京大学 、中山大学 、国家市场监督管理总局认证认可技术研究中心 、河北北芯半导体科技有限公司 、珠海镓未来科技有限公司 、北京小米移动软件有限公司 、重庆大学 、重庆邮电大学 、中国科学院微电子研究所 、西交利物浦大学 、湖南大学 、贵州芯际探索科技有限公司 、北京大学东莞光电研究院 。

主要起草人 施宜军 、何亮 、路国光 、刘昌 、陈万军 、黄火林 、贺致远 、陈兴欢 、陈媛 、孙瑞泽 、付志伟 、刘陆川 、周峰 、周春华 、黎子兰 、刘斯扬 、李祥东 、汪猛 、罗小蓉 、魏进 、来萍 、陈义强 、王小明 、刘扬 、岳岩 、席善斌 、张大江 、王晔 、张丽丽 、胡盛东 、陈伟中 、黄森 、刘雯 、陶明 、邓高强 、王成财 、郝乐 、刘曦 、张进成 、刘强 。

本标准等同采用IEC国际标准：IEC 63284:2022。

采标中文名称:半导体器件 基于感性负载开关的氮化镓晶体管可靠性试验方法。