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国家标准化指导性技术文件登记项目《硅基光电子片上器件测试方法 第1部分:光耦合器》由 339-1(工业和信息化部(电子))归口 ,主管部门为工业和信息化部(电子)。

主要起草单位 联合微电子中心有限责任公司 、中国科学技术大学 、中国电子技术标准化研究院 、之江实验室 、杭州爱杰光电科技有限公司 、华中科技大学 、上海新微技术研发中心有限公司 、上海曦智科技股份有限公司 、柯泰光芯(常州)测试技术有限公司 。

主要起草人 赵恒 、周志远 、葛邦同 、刘华成 、陈碧超 、杨伟 、杨超 、虞绍良 、周治平 、董建绩 、许强 、于山山 、张骞 。

目录

项目进度

当前登记项目

20262641-Z-339 正在征求意见

硅基光电子片上器件测试方法 第1部分:光耦合器

征求意见稿

基础信息

登记号
20262641-Z-339
制修订
制定
项目周期
10个月
登记日期
2026-05-19
标准类别
方法
国际标准分类号
31.260
31 电子学
31.260 光电子学、激光设备
归口单位
工业和信息化部(电子)
执行单位
工业和信息化部(电子)
主管部门
工业和信息化部(电子)

起草单位

起草人

赵恒
周志远
陈碧超
杨伟
周治平
董建绩
张骞
葛邦同
刘华成
杨超
虞绍良
许强
于山山

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