国家标准计划《半导体器件 第5-11部分:光电子器件 发光二极管 辐射和非辐射电流的测试方法》由 339-1(工业和信息化部(电子))归口 ,主管部门为工业和信息化部(电子)。
主要起草单位 中国电子科技集团公司第十三研究所 、中国电子科技集团公司第十三研究所 、河北北芯半导体科技有限公司 、中国电子科技集团公司第十三研究所 、浙江智菱科技有限公司 、南昌大学 、鸿利智汇集团股份有限公司 、晶能光电股份有限公司 、华南理工大学 、杭州英诺维科技有限公司 、石家庄市京华电子实业有限公司 、广州赛西标准检测研究院有限公司 。
主要起草人 席善斌 、刘东月 、茹志芹 、冉红雷 、李俊凯 、李丹 、吕天刚 、王琼 、李家声 、许子愉 、张振男 、黄胜华 。
20231205-T-339 正在审查
| 31 电子学 |
| 31.080 半导体分立器件 |
| 31.080.99 其他半导体分立器件 |
本标准等同采用IEC国际标准:IEC 60747-5-11:2019。
采标中文名称:半导体器件 第5-11部分:光电子器件 发光二极管辐射和非辐射电流的测试方法。