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国家标准计划《半导体器件 第5-11部分:光电子器件 发光二极管 辐射和非辐射电流的测试方法》由 339-1(工业和信息化部(电子))归口 ,主管部门为工业和信息化部(电子)

主要起草单位 中国电子科技集团公司第十三研究所中国电子科技集团公司第十三研究所河北北芯半导体科技有限公司中国电子科技集团公司第十三研究所浙江智菱科技有限公司南昌大学鸿利智汇集团股份有限公司晶能光电股份有限公司华南理工大学杭州英诺维科技有限公司石家庄市京华电子实业有限公司广州赛西标准检测研究院有限公司

主要起草人 席善斌刘东月茹志芹冉红雷李俊凯李丹吕天刚王琼李家声许子愉张振男黄胜华

目录

项目进度

当前标准计划

20231205-T-339 正在审查

半导体器件 第5-11部分:光电子器件 发光二极管 辐射和非辐射电流的测试方法

基础信息

计划号
20231205-T-339
制修订
制定
项目周期
16个月
下达日期
2023-12-01
标准类别
方法
国际标准分类号
31.080.99
31 电子学
31.080 半导体分立器件
31.080.99 其他半导体分立器件
归口单位
工业和信息化部(电子)
执行单位
工业和信息化部(电子)
主管部门
工业和信息化部(电子)

起草单位

起草人

席善斌
刘东月
李俊凯
李丹
李家声
许子愉
茹志芹
冉红雷
吕天刚
王琼
张振男
黄胜华

采标情况

本标准等同采用IEC国际标准:IEC 60747-5-11:2019。

采标中文名称:半导体器件 第5-11部分:光电子器件 发光二极管辐射和非辐射电流的测试方法。

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