国家标准计划《半导体器件 第5-9部分: 光电子器件 发光二极管 基于温度相关的电致发光内量子效率测试方法》由 339-1(工业和信息化部(电子))归口 ,主管部门为工业和信息化部(电子)。
主要起草单位 浙江智菱科技有限公司 、杭州英诺维科技有限公司 、厦门市产品质量监督检验院 、河北北芯半导体科技有限公司 、广州质量监督检测研究院 、中国电子技术标准化研究院 、中国标准化研究院 、华南理工大学 、浙江大学 、太原理工大学 、通标标准技术服务(上海)有限公司 、杭州希塔光电有限公司 、杭州纳镜科技有限公司 。
主要起草人 李俊凯 、许子愉 、林沐璇 、刘东月 、刘秀娟 、蔡建奇 、马耀光 、李宗涛 、葛莉荭 、桑胜波 、梁倩霞 、段延龙 、刘涛 、骆程程 、陆鑫 、罗勇军 、温少楷 、张红兵 。
20231207-T-339 正在审查
| 31 电子学 |
| 31.080 半导体分立器件 |
| 31.080.99 其他半导体分立器件 |
本标准等同采用IEC国际标准:IEC 60747-5-9:2019。
采标中文名称:半导体器件 第5-9部分: 光电子器件 发光二极管 基于温度相关的电致发光内量子效率测试方法。