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国家标准计划《半导体器件 第5-9部分: 光电子器件 发光二极管 基于温度相关的电致发光内量子效率测试方法》由 339-1(工业和信息化部(电子))归口 ,主管部门为工业和信息化部(电子)

主要起草单位 浙江智菱科技有限公司杭州英诺维科技有限公司工业和信息化部电子工业标准化研究院中国电子科技集团公司第十三研究所厦门市产品质量监督检验院华南理工大学

目录

项目进度

当前标准计划

20231207-T-339 正在征求意见

半导体器件 第5-9部分: 光电子器件 发光二极管 基于温度相关的电致发光内量子效率测试方法

征求意见稿

基础信息

计划号
20231207-T-339
制修订
制定
项目周期
16个月
下达日期
2023-12-01
标准类别
方法
国际标准分类号
31.080.99
31 电子学
31.080 半导体分立器件
31.080.99 其他半导体分立器件
归口单位
工业和信息化部(电子)
执行单位
工业和信息化部(电子)
主管部门
工业和信息化部(电子)

起草单位

采标情况

本标准等同采用IEC国际标准:IEC 60747-5-9:2019。

采标中文名称:半导体器件 第5-9部分: 光电子器件 发光二极管 基于温度相关的电致发光内量子效率测试方法。

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