注册

国家标准计划《半导体器件 第5-9部分: 光电子器件 发光二极管 基于温度相关的电致发光内量子效率测试方法》由 339-1(工业和信息化部(电子))归口 ,主管部门为工业和信息化部(电子)

主要起草单位 浙江智菱科技有限公司杭州英诺维科技有限公司厦门市产品质量监督检验院河北北芯半导体科技有限公司广州质量监督检测研究院中国电子技术标准化研究院中国标准化研究院华南理工大学浙江大学太原理工大学通标标准技术服务(上海)有限公司杭州希塔光电有限公司杭州纳镜科技有限公司

主要起草人 李俊凯许子愉林沐璇刘东月刘秀娟蔡建奇马耀光李宗涛葛莉荭桑胜波梁倩霞段延龙刘涛骆程程陆鑫罗勇军温少楷张红兵

目录

项目进度

当前标准计划

20231207-T-339 正在审查

半导体器件 第5-9部分: 光电子器件 发光二极管 基于温度相关的电致发光内量子效率测试方法

基础信息

计划号
20231207-T-339
制修订
制定
项目周期
16个月
下达日期
2023-12-01
标准类别
方法
国际标准分类号
31.080.99
31 电子学
31.080 半导体分立器件
31.080.99 其他半导体分立器件
归口单位
工业和信息化部(电子)
执行单位
工业和信息化部(电子)
主管部门
工业和信息化部(电子)

起草单位

起草人

李俊凯
许子愉
刘秀娟
蔡建奇
葛莉荭
桑胜波
刘涛
骆程程
温少楷
张红兵
林沐璇
刘东月
马耀光
李宗涛
梁倩霞
段延龙
陆鑫
罗勇军

采标情况

本标准等同采用IEC国际标准:IEC 60747-5-9:2019。

采标中文名称:半导体器件 第5-9部分: 光电子器件 发光二极管 基于温度相关的电致发光内量子效率测试方法。

相近标准(计划)