1

GB/T 45719-2025

半导体器件 金属氧化物半导体（MOS） 晶体管的热载流子试验

2025年

第13号

2

GB/T 45716-2025

半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验

3

GB/T 45722-2025

半导体器件 恒流电迁移试验

4

GB/T 45721.1-2025

半导体器件 应力迁移试验 第1部分：铜应力迁移试验

5

GB/T 45720-2025

半导体器件 栅介质层的时间相关介电击穿（TDDB）试验

6

GB/T 45718-2025

半导体器件 内部金属层间的时间相关介电击穿（TDDB）试验