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国家标准《半导体器件 恒流电迁移试验》 由TC78(全国半导体器件标准化技术委员会)归口 ,主管部门为工业和信息化部(电子)

主要起草单位 工业和信息化部电子第五研究所西安电子科技大学中国电子科技集团公司第十三研究所深圳市威兆半导体股份有限公司深圳市诚芯微科技股份有限公司广东工业大学中绍宣标准科技集团有限公司深圳市天成照明有限公司

主要起草人 章晓文林晓玲游海龙周斌尹丽晶贺致远来萍张战刚雷登云王铁羊孟苓辉陈义强彭浩李伟聪曹建林崔从俊林坚耿

目录

标准状态

当前标准

GB/T 45722-2025 现行

半导体器件 恒流电迁移试验

基础信息

标准号
GB/T 45722-2025
发布日期
2025-05-30
实施日期
2025-09-01
标准类别
方法
中国标准分类号
L40
国际标准分类号
31.080.01
31 电子学
31.080 半导体分立器件
31.080.01 半导体分立器件综合
归口单位
全国半导体器件标准化技术委员会
执行单位
全国半导体器件标准化技术委员会
主管部门
工业和信息化部(电子)

采标情况

本标准等同采用IEC国际标准:IEC 62415:2010。

采标中文名称:半导体器件 恒流电迁移试验。

起草单位

起草人

章晓文
林晓玲
尹丽晶
贺致远
雷登云
王铁羊
彭浩
李伟聪
林坚耿
游海龙
周斌
来萍
张战刚
孟苓辉
陈义强
曹建林
崔从俊

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