国家标准计划《半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第2部分：缺陷的光学检测方法》由 TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行 ，主管部门为国家标准委。 拟实施日期：发布后6个月正式实施。

主要起草单位 河北半导体研究所（中国电子科技集团公司第十三研究所） 、之江实验室 、中国电子科技集团公司第四十六研究所 、浙江大学 、山东天岳先进科技股份有限公司 、河北普兴电子科技股份有限公司 、中国科学院半导体研究所 、中电化合物半导体有限公司 、山西烁科晶体有限公司 、广东天域半导体股份有限公司 、深圳市星汉激光科技股份有限公司 、常州银河世纪微电子股份有限公司 、深圳市恒运昌真空技术有限公司 、深圳市鹰眼在线电子科技有限公司 、深圳超盈智能科技有限公司 、常州臻晶半导体有限公司 、厦门柯尔自动化设备有限公司 、厦门普诚科技有限公司 。

主要起草人 芦伟立 、房玉龙 、李佳 、张冉冉 、李丽霞 、杨青 、殷源 、刘立娜 、张建锋 、李振廷 、徐晨 、宋生 、张永强 、钮应喜 、金向军 、毛开礼 、丁雄杰 、刘薇 、周少丰 、庄建军 、乐卫平 、周翔 、夏俊杰 、陆敏 、郑隆结 、薛联金 。

本标准等同采用IEC国际标准：IEC 63068-2:2019。

采标中文名称:半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第2部分：缺陷的光学检测方法。