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国家标准计划《硅单晶电阻率的测定 直排四探针法和直流两探针法》由 TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,TC203SC2(全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会)执行 ,主管部门为国家标准委。 拟实施日期:发布后6个月正式实施。

主要起草单位 中国电子科技集团公司第四十六研究所有色金属技术经济研究院有限责任公司有研半导体材料有限公司广州市昆德科技有限公司青海芯测科技有限公司浙江海纳半导体有限公司乐山市产品质量监督检验所中国计量科学研究院亚洲硅业(青海)股份有限公司浙江金瑞泓科技股份有限公司开化县检验检测研究院南京国盛电子有限公司青海黄河上游水电开发有限责任公司新能源分公司义乌力迈新材料有限公司

主要起草人 刘立娜刘兆枫何烜坤刘刚杨素心孙燕高英王昕梁洪潘金平楼春兰宗冰李慎重潘文宾蔡丽艳王志强皮坤林

目录

项目进度

修订了以下标准

GB/T 1551-2009 (全部代替)

硅单晶电阻率测定方法
当前标准计划

20181809-T-469 已发布

硅单晶电阻率的测定 直排四探针法和直流两探针法

基础信息

计划号
20181809-T-469
制修订
修订
项目周期
24个月
下达日期
2018-10-15
标准类别
方法
中国标准分类号
H21
国际标准分类号
77.040
77 冶金
77.040 金属材料试验
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会
执行单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会
主管部门
国家标准委

起草单位

起草人

刘立娜
刘兆枫
杨素心
孙燕
梁洪
潘金平
李慎重
潘文宾
皮坤林
何烜坤
刘刚
高英
王昕
楼春兰
宗冰
蔡丽艳
王志强

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