国家标准《用于功率转化的氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）动态导通电阻测试方法指南》 由TC78（全国半导体器件标准化技术委员会）归口 ，主管部门为工业和信息化部（电子）。

主要起草单位 工业和信息化部电子第五研究所 、广东工业大学 、浙江大学杭州国际科创中心 、中山大学 、电子科技大学 、北京大学 、大连理工大学 、南京大学 、西安电子科技大学广州研究院 、深圳飞骧科技股份有限公司 、三微电子科技（苏州）有限公司 、南方电网科学研究院有限责任公司 、河北新华北集成电路有限公司 、浙江大学 、武汉大学 、北京大学东莞光电研究院 、无锡华润微电子有限公司 、英诺赛科（苏州）半导体有限公司 、北京小米移动软件有限公司 。

主要起草人 何亮 、施宜军 、陈兴欢 、蔡宗棋 、贺致远 、陈媛 、路国光 、陈义强 、吴新科 、刘扬 、罗小蓉 、来萍 、王宏跃 、韦覃如 、魏进 、黄火林 、周峰 、游淑珍 、邓高强 、陈立强 、刘荣军 、王达名 、李潮 、倪毅强 、李峣 、杜鹏搏 、王成财 、官权学 、刘志宏 、袁嵩 、赵问鼎 、张召富 、刘强 、张晓荣 、王剑屏 、杨强 、崔朝探 、刘小明 、谌兴武 。

本标准等同采用IEC国际标准：IEC 63373:2022。

采标中文名称:基于氮化镓高电子迁移率晶体管的功率转换器件动态导通电阻测试方法指南 。