注册

国家标准计划《酸浸取 原子吸收光谱法测定多晶硅表面金属污染物》由 TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,TC203SC2(全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会)执行 ,主管部门为国家标准委

主要起草单位 信息产业部专用材料质量监督检验中心中国电子科技集团公司第四十六研究所

主要起草人 褚连青王奕魏利洁

目录

项目进度

当前标准计划

20070863-T-469 已发布

酸浸取 原子吸收光谱法测定多晶硅表面金属污染物
已发布标准

基础信息

计划号
20070863-T-469
制修订
制定
项目周期
24个月
下达日期
2007-11-19
标准类别
方法
中国标准分类号
H80
国际标准分类号
29.045
29 电气工程
29.045 半导体材料
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会
执行单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会
主管部门
国家标准委

起草单位

起草人

褚连青
王奕
魏利洁

采标情况

本标准修改采用其他国际标准:SEMI MF1724-1104。

采标中文名称:采用酸萃取 原子吸收光谱法测量多晶硅表面金属沾污。

相近标准(计划)