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国家标准《硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准化管理委员会。

主要起草单位洛阳单晶硅有限责任公司。

主要起草人田素霞、张静雯、王文卫、周涛。

目录

标准状态

当前标准

GB/T 26066-2010 现行

硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法

基础信息

标准号: GB/T 26066-2010
发布日期: 2011-01-10
实施日期: 2011-10-01

标准类别

方法

中国标准分类号

H80

国际标准分类号

29.045

29 电气工程

29.045 半导体材料

归口单位

全国半导体设备和材料标准化技术委员会

执行单位

全国半导体设备和材料标准化技术委员会

主管部门

国家标准化管理委员会

起草单位

洛阳单晶硅有限责任公司

起草人

田素霞

张静雯

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