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重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法

Test method for thickness of lightly doped silicon epitaxial layers on heavily doped silicon substrates by infrared reflectance
国家标准 推荐性 废止

国家标准《重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法》 由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口 ，主管部门为国家标准委。

主要起草单位 机电部四十六所 。

目录

标准状态

  1. 发布
  2. 实施
  3. 废止
当前标准

GB/T 14847-1993 废止

重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法
被以下标准替代

GB/T 14847-2010 （全部代替）

重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法

基础信息

标准号
GB/T 14847-1993
发布日期
1993-12-30
实施日期
1994-09-01
废止日期
2011-10-01
标准类别
方法
中国标准分类号
H21
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会
执行单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会
主管部门
国家标准委

采标情况

本标准等效采用ITU国际标准：ASTM F95:1989。

采标中文名称:。

起草单位

机电部四十六所

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