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国家标准计划《硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法》由 TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,TC203SC2(全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会)执行 ,主管部门为国家标准委

主要起草单位 峨嵋半导体材料厂

主要起草人 江莉杨旭

目录

项目进度

修订了以下标准

GB/T 1553-1997 (全部代替)

硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法
当前标准计划

20063373-T-469 已发布

硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法
已发布标准

基础信息

计划号
20063373-T-469
制修订
修订
项目周期
36个月
下达日期
2005-12-30
标准类别
方法
中国标准分类号
H80
国际标准分类号
29.045
29 电气工程
29.045 半导体材料
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会
执行单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会
主管部门
国家标准委

起草单位

起草人

江莉
杨旭

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