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国家标准《硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准委。

主要起草单位峨嵋半导体材料厂。

标准状态

代替了以下标准

GB/T 1553-1979 （全部代替）

GB/T 5257-1985 （全部代替）

当前标准

GB/T 1553-1997 废止

硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法

被以下标准替代

GB/T 1553-2009 （全部代替）

硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法

基础信息

标准号: GB/T 1553-1997
发布日期: 1997-06-03
实施日期: 1997-12-01
废止日期: 2010-06-01

标准类别

方法

中国标准分类号

H21

国际标准分类号

77.040.01

77 冶金

77.040 金属材料试验

77.040.01 金属材料试验综合

归口单位

全国半导体设备和材料标准化技术委员会

执行单位

全国半导体设备和材料标准化技术委员会

主管部门

国家标准委

采标情况

本标准等效采用ITU国际标准：ASTM F28:1990。

采标中文名称:。

起草单位

峨嵋半导体材料厂

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硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法

Standard test methods for minority carrier lifetime in bulk germanium and silicon by measurement of photoconductivity decay

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