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国家标准《半导体器件 第5-11部分:光电子器件 发光二极管 辐射和非辐射电流的测试方法》 由339-1(工业和信息化部(电子))归口 ,主管部门为工业和信息化部(电子)。

主要起草单位 中国电子科技集团公司第十三研究所 、河北北芯半导体科技有限公司 、浙江智菱科技有限公司 、南昌大学 、鸿利智汇集团股份有限公司 、晶能光电股份有限公司 、华南理工大学 、杭州英诺维科技有限公司 、石家庄市京华电子实业有限公司 、广州赛西标准检测研究院有限公司 。

主要起草人 席善斌 、刘东月 、茹志芹 、冉红雷 、李俊凯 、李丹 、吕天刚 、王琼 、李家声 、许子愉 、张振男 、黄胜华 。

目录

标准状态

当前标准

GB/T 15651.11-2026 即将实施

半导体器件 第5-11部分:光电子器件 发光二极管 辐射和非辐射电流的测试方法

基础信息

标准号
GB/T 15651.11-2026
发布日期
2026-10-30
实施日期
2027-05-01
标准计划
20231205-T-339
标准类别
方法
中国标准分类号
L53
国际标准分类号
31.080.99
31 电子学
31.080 半导体分立器件
31.080.99 其他半导体分立器件
归口单位
工业和信息化部(电子)
执行单位
工业和信息化部(电子)
主管部门
工业和信息化部(电子)

采标情况

本标准等同采用IEC国际标准:IEC 60747-5-11:2019。

采标中文名称:半导体器件 第5-11部分:光电子器件 发光二极管 辐射和非辐射电流的测试方法。

起草单位

起草人

席善斌
刘东月
李俊凯
李丹
李家声
许子愉
茹志芹
冉红雷
吕天刚
王琼
张振男
黄胜华

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