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国家标准计划《III族氮化物半导体材料中位错成像的测试 透射电子显微镜法》由 TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,TC203SC2(全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会)执行 ,主管部门为国家标准化管理委员会。 拟实施日期:发布后6个月正式实施。

主要起草单位 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所苏州纳维科技有限公司江苏第三代半导体研究院有限公司苏州科技大学北京大学国家纳米科学中心北京大学东莞光电研究院东莞市中镓半导体科技有限公司TCL环鑫半导体(天津)有限公司苏州大学山东浪潮华光光电子股份有限公司北京国基科航第三代半导体检测技术有限公司

主要起草人 曾雄辉董晓鸣苏旭军牛牧童王建峰徐科王晓丹徐军郭延军陈家凡王新强颜建锋敖松泉唐明华闫宝华李艳明

目录

项目进度

当前标准计划

20214216-T-469 正在批准

III族氮化物半导体材料中位错成像的测试 透射电子显微镜法

基础信息

计划号
20214216-T-469
制修订
制定
项目周期
30个月
下达日期
2021-10-13
标准类别
方法
中国标准分类号
H21
国际标准分类号
77.040
77 冶金
77.040 金属材料试验
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会
执行单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会
主管部门
国家标准化管理委员会

起草单位

起草人

曾雄辉
董晓鸣
王建峰
徐科
郭延军
陈家凡
敖松泉
唐明华
苏旭军
牛牧童
王晓丹
徐军
王新强
颜建锋
闫宝华
李艳明

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