注册

国家标准计划《硅单晶中III、V族杂质含量的测定 低温傅立叶变换红外光谱法》由 TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,TC203SC2(全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会)执行 ,主管部门为国家标准委。 拟实施日期:发布后6个月正式实施。

主要起草单位 乐山市产品质量监督检验所青海芯测科技有限公司江苏中能硅业科技发展有限公司亚洲硅业(青海)股份有限公司新特能源股份有限公司有研半导体硅材料股份公司四川永祥股份有限公司陕西有色天宏瑞科硅材料有限责任公司江苏鑫华半导体材料科技有限公司洛阳中硅高科技有限公司新疆协鑫新能源材料科技有限公司国标(北京)检验认证有限公司有色金属技术经济研究院有限责任公司宜昌南玻硅材料有限公司江苏秦烯新材料有限公司义乌力迈新材料有限公司

主要起草人 梁洪赵晓斌万涛薛心禄魏东亮王彬邱艳梅杨素心李素青李朋飞赵培芝王永涛魏强楚东旭周延江刘文明刘红何建军皮坤林

目录

项目进度

修订了以下标准

GB/T 24581-2009 (全部代替)

低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法
当前标准计划

20200800-T-469 已发布

硅单晶中III、V族杂质含量的测定 低温傅立叶变换红外光谱法

基础信息

计划号
20200800-T-469
制修订
修订
项目周期
18个月
下达日期
2020-03-06
标准类别
方法
中国标准分类号
H17
国际标准分类号
77.040
77 冶金
77.040 金属材料试验
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会
执行单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会
主管部门
国家标准委

起草单位

起草人

梁洪
赵晓斌
魏东亮
王彬
李素青
李朋飞
魏强
楚东旭
刘红
何建军
万涛
薛心禄
邱艳梅
杨素心
赵培芝
王永涛
周延江
刘文明
皮坤林

相近标准(计划)