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国家标准《低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法》 由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口 ,主管部门为国家标准委

主要起草单位 四川新光硅业科技有限责任公司

主要起草人 梁洪过惠芬吴道荣

目录

标准状态

当前标准

GB/T 24581-2009 废止

低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法
被以下标准替代

GB/T 24581-2022 (全部代替)

硅单晶中III、V族杂质含量的测定 低温傅立叶变换红外光谱法

基础信息

标准号
GB/T 24581-2009
发布日期
2009-10-30
实施日期
2010-06-01
废止日期
2022-10-01
标准类别
方法
中国标准分类号
H80
国际标准分类号
29.045
29 电气工程
29.045 半导体材料
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会
执行单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会
主管部门
国家标准委

采标情况

本标准等同采用其他国际标准:SEMI MF 1630-0704。

采标中文名称:低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法。

起草单位

起草人

梁洪
过惠芬
吴道荣

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