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硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法

Test methods for minority carrier lifetime in bulk germanium and silicon by measurement of photoconduetivity decay
国家标准 推荐性 废止

国家标准《硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法》 由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行 ，主管部门为国家标准委。

主要起草单位 峨嵋半导体材料厂 。

主要起草人 江莉 、杨旭 。

目录

标准状态

  1. 发布
  2. 实施
  3. 废止
代替了以下标准

GB/T 1553-1997 （全部代替）

硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法
当前标准

GB/T 1553-2009 废止

硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法
被以下标准替代

GB/T 1553-2023 （全部代替）

硅和锗体内少数载流子寿命的测定 光电导衰减法

基础信息

标准号
GB/T 1553-2009
发布日期
2009-10-30
实施日期
2010-06-01
废止日期
2024-03-01
全部代替标准
GB/T 1553-1997
标准类别
方法
中国标准分类号
H80
国际标准分类号
29.045
29 电气工程
29.045 半导体材料
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会
执行单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会
主管部门
国家标准委

起草单位

峨嵋半导体材料厂

起草人

江莉
杨旭

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