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国家标准《半导体晶片近边缘几何形态评价 第3部分:扇形区域平整度法(ESFQR、ESFQD、ESBIR)》 由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,TC203SC2(全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会)执行 ,主管部门为国家标准委

主要起草单位 山东有研半导体材料有限公司杭州中欣晶圆半导体股份有限公司金瑞泓微电子(嘉兴)有限公司西安奕斯伟材料科技股份有限公司广东天域半导体股份有限公司浙江晶越半导体有限公司上海晶盟硅材料有限公司郑州合晶硅材料有限公司深圳中科飞测科技股份有限公司

主要起草人 朱晓彤宁永铎王玥刘云霞徐新华徐国科张婉婉丁雄杰高冰顾广安钟佑生马砚忠

目录

标准状态

当前标准

GB/T 43894.3-2026 即将实施

半导体晶片近边缘几何形态评价 第3部分:扇形区域平整度法(ESFQR、ESFQD、ESBIR)

基础信息

标准号
GB/T 43894.3-2026
发布日期
2026-07-02
实施日期
2027-02-01
标准计划
20250813-T-469
标准类别
方法
中国标准分类号
H21
国际标准分类号
77.040
77 冶金
77.040 金属材料试验
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会
执行单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会
主管部门
国家标准委

起草单位

起草人

朱晓彤
宁永铎
徐新华
徐国科
高冰
顾广安
王玥
刘云霞
张婉婉
丁雄杰
钟佑生
马砚忠

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