国家标准计划《三维集成电路 第3部分:硅通孔模型及测试方法》由 TC599(全国集成电路标准化技术委员会)归口 ,主管部门为工业和信息化部(电子)。 拟实施日期:发布后6个月正式实施。
主要起草单位 中国电子技术标准化研究院 、华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 、工业和信息化部电子第五研究所 、厦门优迅芯片股份有限公司 、深圳市埃芯半导体科技有限公司 、苏州科阳半导体有限公司 、物元半导体技术(青岛)有限公司 、珠海硅芯科技有限公司 。
主要起草人 李锟 、王琪 、孙鹏 、陈天放 、杨晓锋 、陈哲 、张宸睿 、吕军 、陈为玉 、赵毅 、范剑峰 。
20231790-T-339 正在批准
| 31 电子学 |
| 31.200 集成电路、微电子学 |
本标准修改采用IEC国际标准:IEC 63011-3:2018。
采标中文名称:三维集成电路 第3部分:通孔模型及测试方法。