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行业标准《半导体器件10KeV低能X射线总剂量辐照试验方法》由工业和信息化部电子工业标准化研究院归口上报,主管部门为工业和信息化部

主要起草单位 工业和信息化部电子第五研究所

主要起草人 罗宏伟何玉娟恩云飞等

目录

标准状态

基础信息

标准号
SJ/T 11586-2016
发布日期
2016-01-15
实施日期
2016-06-01
中国标准分类号
L40
国际标准分类号
31.080.01
31 电子学
31.080 半导体分立器件
31.080.01 半导体分立器件综合
归口单位
工业和信息化部电子工业标准化研究院
主管部门
工业和信息化部
行业分类

备案信息

备案号:54885-2016。

备案公告: 2016年第7号

起草单位

起草人

罗宏伟
何玉娟
恩云飞

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