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国家标准计划《低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法》由 TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口 ,主管部门为国家标准委。

主要起草单位 四川新光硅业科技有限责任公司 。

主要起草人 梁洪 、过惠芬 、吴道荣 。

目录

项目进度

当前标准计划

20073568-T-469 已发布

低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法
已发布标准

基础信息

计划号
20073568-T-469
制修订
制定
项目周期
24个月
下达日期
2008-01-18
标准类别
方法
中国标准分类号
H80
国际标准分类号
29.045
29 电气工程
29.045 半导体材料
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会
执行单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会
主管部门
国家标准委

起草单位

起草人

梁洪
过惠芬
吴道荣

采标情况

本标准等同采用其他国际标准:SEMI MF 1630-0704。

采标中文名称:低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法。

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