负责专业范围为半导体材料与器件。
擅长专业为自2007年以来一直围绕GaN单晶的生长和相关装备开展研发，2012年突破了2英寸GaN单晶衬底制备的系列关键技术，2015年完成规模量产技术的开发，近五年与团队一起进一步突破了4英寸及6英寸GaN单晶衬底的开发，2017年作为科技部重点研发项目负责人，联合国内20余家优势单位开展GaN在高性能器件上的应用研究，为蓝绿光激光器、电力电子器件、微波射频等电子元器件的创新研发提供了重要支撑。
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