全国半导体器件标准化技术委员会半导体分立器件分技术委员会编号TC78/SC1,由工业和信息化部筹建及进行业务指导。
本届届号第4届,现任秘书长陈海蓉。
负责专业范围为负责全国半导体分立器件等专业领域标准化工作。
# | 计划号 | 项目名称 | 制修订 | 计划下达日期 | 项目状态 |
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1 | 20250936-T-339 | 半导体器件 第14-12部分: 半导体传感器 基于CMOS成像的气体传感器的性能测试方法 | 制定 | 2025-03-27 | 正在起草 |
2 | 20242947-T-339 | 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 | 修订 | 2024-09-29 | 正在起草 |
3 | 20242787-T-339 | 汽车用分立器件应力测试要求 | 制定 | 2024-08-23 | 正在征求意见 |
4 | 20242747-T-339 | 半导体器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)可靠性试验方法 第1部分:偏置温度不稳定性试验方法 | 制定 | 2024-08-23 | 正在起草 |
5 | 20242751-T-339 | 半导体器件 基于感性负载开关应力的氮化镓(GaN)晶体管可靠性试验方法 | 制定 | 2024-08-23 | 正在起草 |
6 | 20242754-T-339 | 半导体器件 通用鉴定指南 第2部分:可靠性鉴定中任务剖面的概念 | 制定 | 2024-08-23 | 正在起草 |
7 | 20242719-T-339 | 半导体器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)可靠性试验方法 第2部分:体二极管工作引起的双极退化的试验方法 | 制定 | 2024-08-23 | 正在起草 |
8 | 20242270-T-339 | 用于功率转化的氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)动态导通电阻测试方法指南 | 制定 | 2024-07-25 | 正在起草 |
9 | 20241488-T-339 | 半导体器件 柔性可拉伸半导体器件 第9部分:一晶体管一电阻式(1T1R)电阻存储单元性能测试方法 | 制定 | 2024-05-31 | 正在批准 |
10 | 20240786-T-339 | 半导体器件 柔性可拉伸半导体器件 第8部分:柔性电阻存储器延展性、柔韧性和稳定性测试方法 | 制定 | 2024-04-25 | 正在批准 |
# | 标准号 | 标准中文名称 | 发布日期 | 实施日期 | 标准状态 |
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1 | GB/T 4937.26-2023 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第26部分:静电放电(ESD)敏感度测试 人体模型(HBM) | 2023-09-07 | 2024-04-01 | 现行 |
2 | GB/T 4587-2023 | 半导体器件 分立器件 第7部分:双极型晶体管 | 2023-09-07 | 2024-04-01 | 现行 |
3 | GB/T 4937.23-2023 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第23部分:高温工作寿命 | 2023-05-23 | 2023-12-01 | 现行 |
4 | GB/T 4937.31-2023 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第31部分:塑封器件的易燃性(内部引起的) | 2023-05-23 | 2023-12-01 | 现行 |
5 | GB/T 4937.32-2023 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第32部分:塑封器件的易燃性(外部引起的) | 2023-05-23 | 2023-12-01 | 现行 |
6 | GB/T 4937.42-2023 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第42部分:温湿度贮存 | 2023-05-23 | 2023-12-01 | 现行 |
7 | GB/T 4937.27-2023 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第27部分:静电放电(ESD)敏感度测试 机器模型(MM) | 2023-05-23 | 2023-12-01 | 现行 |
8 | GB/T 40677-2021 | 微型导热管 | 2021-10-11 | 2022-05-01 | 现行 |
9 | GB/T 4937.11-2018 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第11部分:快速温度变化 双液槽法 | 2018-09-17 | 2019-01-01 | 现行 |
10 | GB/T 4937.17-2018 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第17部分:中子辐照 | 2018-09-17 | 2019-01-01 | 现行 |