《微机电系统（MEMS）技术 单层石墨烯湿法转移与图形化工艺规范》由TC336（全国微机电技术标准化技术委员会）归口上报及执行，主管部门为国家标准委。

石墨烯转移工艺是石墨烯基MEMS器件制备的核心环节，目前国内外主要采用聚合物辅助转移、热释放胶带转移、直接干法转移等方法。

然而，各类方法普遍存在转移后石墨烯易出现褶皱、破损、聚合物残留等问题，且由于缺乏统一的工艺规范，各研究机构和企业在转移介质选择、工艺参数设定和质量控制指标上各成体系，导致转移结果的可比性和可重复性不足，严重制约了石墨烯基器件的规模化生产和产业化应用。

随着石墨烯应用研究的深入，国际上一些领先机构和企业已在转移工艺优化和工程化方面取得了显著进展，形成了部分专有技术方案，但受技术保密和专利布局等因素影响，始终未能形成公开、通用的工艺标准。

在基础性标准方面，国际层面已发布ISO/TS 80004-13:2024《Nanotechnologies - Vocabulary - Part 13: Graphene and other two-dimensional (2D) materials》及IEC TS 62607-6-28:2025《Nanomanufacturing - Key control characteristics - Part 6-28: Graphene-related products - Number of layers for graphene films on a substrate: Raman spectroscopy》等标准，国内已发布GB/T 30544.13-2018《纳米科技 术语 第13部分：石墨烯及相关二维材料》、GB/T 43341-2023《纳米技术 石墨烯的缺陷浓度测量 拉曼光谱法》及GB/T 40071-2021《纳米技术 石墨烯相关二维材料的层数测量 光学对比度法》等标准，涵盖了石墨烯术语定义、层数测定、缺陷密度测量、表面电导测量等表征方法，但上述标准均聚焦于材料性能测试，均未涉及转移工艺的规范化要求，行业亟需可指导工程实践的规范化文件。

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