《微机电系统（MEMS）技术 厚金属膜多层布线电镀工艺技术规范》由TC336（全国微机电技术标准化技术委员会）归口上报及执行，主管部门为国家标准委。

国内方面，硅基厚金属膜多层布线电镀是射频MEMS、惯性传感器等实现复杂电信号互连与三维集成的核心环节，但当前国内制造主要依赖企业自定工艺，缺乏统一规范。

不同产线在层间对准、种子层制备、电镀顺序及应力调控等方面做法各异，导致多层结构在附着力、图形完整性、晶圆级均匀性和长期可靠性方面差异显著，尤其在大尺寸硅片三层以上布线中易出现层间剥离、侧蚀不均及空洞等问题；现有方法多参考PCB或集成电路电镀，未能充分考虑MEMS对厚金属（单层≥10μm）及多层堆叠的特殊要求，亟需制定覆盖清洗、种子层处理、多层光刻电镀交替、去胶及金属腐蚀全流程的通用工艺方法指导文件，以提升技术成熟度与质量控制水平，推动从经验驱动向标准化驱动转变。

国际方面，与MEMS厚金属膜多层布线电镀直接相关的国际标准尚属空白。

ISO TC 213未发布专门工艺规范；IEC TC 47/SC 47F聚焦器件总体要求与可靠性评价，未覆盖电镀工艺具体环节；SEMI标准主要面向集成电路三维封装中的TSV电镀填充，未系统涉及MEMS所需的硅晶圆多层厚金属电镀、光刻掩膜兼容性及层间附着力控制；ISO TC 107及JEDEC等组织的电镀与互连指南均以常规金属基体或半导体成品为对象，不适用于硅晶圆微米级图形化厚金属膜电镀。

综上，国际上同样缺乏针对该工艺全流程、系统化的可操作指导性标准，制定相关标准具有普遍必要性。