《碳化硅键合抛光片》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口上报，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准委。

国际上从事SiC键合技术开发和量产的企业主要有法国Soitec和日本Sicoxs。

2022年，Soitec发布了其首款8英寸SmartSiCTM晶圆（多晶-单晶碳化硅键合衬底）。

2025年Soitec在法国的的新工厂落成，具备年产50万片SmartSiCTM晶圆的能力。

同年，Soitec与Resonac（原昭和电工）签署合作协议，以保证SmartSiCTM晶圆的质量与供应。

Sicoxs（住友集团子公司）的SiC键合衬底则是依托其公司在多晶SiC开发上的专有技术，首先研制出了6英寸SiCkrest（多晶-单晶碳化硅键合衬底），已有量产能力，目前正在日本进行年产10万片8英寸SiCkrest产线的扩建。

国内的青禾晶元在国内首创了高-低质量单晶SiC键合技术，并已具备6英寸、8英寸键合衬底量产能力。

广东天域半导体股份有限公司在国内最早开发基于碳化硅键合衬底的外延技术，并已具备量产能力，其产品已在芯联集成、积塔半导体、瞻芯半导体等国内头部器件制造用户上得到验证使用。

碳化硅键合抛光片的下游仍然是碳化硅外延厂商，键合抛光片和单晶抛光片对于外延制造而言，产线与工艺完全兼容，故碳化硅键合抛光片的市场容量可以参考碳化硅外延的需求评估（根据思瀚产业研究院、灼识咨询报告数据显示，2024年全球碳化硅外延销量约99万片）。

在标准方面，Soitec在2025年发布了SEMI（国际半导体产业协会）标准Specifacation for silicon carbide engineered substrates（碳化硅工程衬底规范），描述了3C-SiC键合4H-SiC类型的碳化硅键合衬底要求，但仅列示了需要检测的指标类别，并未规范明确的技术指标。

除此之外，无其他碳化硅键合衬底相关标准发布。