《硅片体微缺陷的测试方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口上报，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准委。

国内产业正处于国产化加速突破的关键阶段：12英寸硅片国产化率已突破30%，沪硅产业等龙头企业300mm硅片良率追平国际水平，缺陷密度降至0.3个/cm2以下；国内300mm硅片月产能已超200万片，并持续扩张。

然而，高端市场仍由国际巨头主导，12英寸外延片等核心产品的技术壁垒与认证周期仍是国产替代的主要瓶颈。

SEMI？M90-0821 《Test？Method？for？Bulk？Micro？Defect？Density？and？Denuded？Zone？Width？in？Annealed？Silicon？Wafers？by？Optical？Microscopy？After？Preferential？Etching》（择优腐蚀后用光学显微镜测量硅退火片中体微缺陷密度和洁净区宽度的试验方法），首次发布时间为2021年8月。

该标准采用择优腐蚀方法，利用特定化学腐蚀液对硅片中的缺陷区域进行选择性腐蚀。