《键合碳化硅外延片》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口上报，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准委。

国际上较早涉猎SiC键合衬底的企业有法国Soitec和日本Sicoxs。

2022年，Soitec发布了其首款8英寸SmartSiCTM晶圆，SmartSiCTM系列产品是通过将一层非常薄的高质量单晶SiC键合到一个电阻率非常低的多晶碳化硅晶圆上所实现的键合衬底。

Sicoxs的SiC键合衬底则是依托其公司在多晶SiC开发上的专有技术，研制出了6英寸SiC键合衬底，目前已有量产能力。

国内的青禾晶元在国内首创了高-低质量单晶SiC复合衬底的量产技术。

在外延方面，广东天域半导体股份有限公司在国内最早开发基于碳化硅键合衬底的同质外延技术，其产品已经在芯联集成、积塔半导体、瞻芯半导体等国内头部器件制造用户上得到验证使用。