《光电器件用磷化铟基外延片》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口上报，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准委。

光电器件用磷化铟基外延片是一种非常重要的半导体材料，广泛应用于光通信、光互连以及光电探测器等领域。

因其高电子迁移率和直接带隙特性被广泛应用在激光二极管、发光二极管、光放大器、调制器、探测器等高速光电器件制作。

在国计民生各个领域都发挥着越来越重要的作用。

InP基外延片通常利用金属有机化学气相沉积（MOCVD）或分子束外延（MBE）技术生长而成。

在生长过程中，可以在InP衬底上精确控制地生长出具有特定厚度和组分的多层外延结构材料，以满足不同器件的功能应用需求。

根据预测，2026年全球磷化铟外延片（折合2inch）预计销量为130万片，2019-2026年复合增长率为15%；由于国内地区磷化铟基外延片厂家起步晚，规模生产不足，磷化铟基外延片产品占全球总市场份额不足20%。

随着国内下游厂商的需求和产品增长，预计中国市场在未来几年内将有显著的增长，亟需推动国内磷化铟外延片相关产业发展。