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《太阳能电池用硅片厚度及总厚度变化测试方法》由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口上报,TC203SC2(全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会)执行,主管部门为国家标准委

目录

基础信息

计划下达日期
2025-06-05
项目周期
一年
发布日期
2025-06-05
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会
执行单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会
主管部门
国家标准委

翻译承担单位

翻译人

王新社
韩伟
杜超
杜倩

国内外简要情况说明

光伏产业是基于半导体技术和新能源需求而深入融合并快速兴起的朝阳产业,是未来全球先进可再生能源产业竞争的制高点,发展以光伏为代表的可再生能源对于应对全球气候变化、推动全球能源变革具有重要意义。

中国光伏产业经过多年发展,在技术研发、制造规模、成本控制等环节均处于绝对领先地位。

硅片环节占据全球97%以上产能,电池量产转换效率突破26%,组件出货量连续十年全球占比超80%,技术创新方面率先实现N型TOPCon/HJT电池、大尺寸硅片及薄硅片的规模化量产。

这种全方位领先不仅源于万亿级市场规模形成的产业生态,更依托于贯穿全生命周期的标准化体系构建能力——从材料物性检测到工艺参数控制,中国标准已深度融入全球光伏制造体系,成为产业链提质增效的核心基础设施。

光伏硅单晶片是当前光伏产业最核心的原材料之一,硅单晶片的品质对下游电池及组件的性能具有极大的影响,其中硅片厚度及其总厚度变化(TTV)是决定光伏产品性能与可靠性的核心参数。

比如,薄片化可显著降低硅料成本,但硅片厚度减小会同步加剧机械强度衰减与工艺适配难度,TTV超标将直接导致切割碎片率上升、电池镀膜均匀性下降及组件层压隐裂风险倍增。

因此,硅片厚度及TTV的精准管控是打通“硅片-电池-组件”全链条高效协同的关键技术枢纽之一。

GB/T 30869-2014作为硅片厚度及总厚度变化(TTV)检测的关键标准,从方法设计到参数阈值均体现了行业领先的技术逻辑。

该标准创新性结合分立式(单点采样)与扫描式(连续轨迹)测量,兼容接触式测厚仪(精度±1.25μm)与非接触式光学干涉仪(分辨率0.1μm),覆盖从传统硅片到当前主流的N型超薄硅片的全场景检测需求。

英文版标准的输出将加速全球光伏产业链的技术协同。

当前海外新兴市场普遍缺乏本土化标准,其硅片制造环节受限于检测方法差异,引入GB/T 30869标准后,通过统一测量路径规范可显著提升海外产线的制造良率与设备兼容性。