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《电子气体 锗烷》由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口上报,TC203SC1(全国半导体设备和材料标准化技术委员会气体分会)执行,主管部门为国家标准委

目录

基础信息

标准编号
20243662-T-469
计划下达日期
2024-01-31
项目周期
与中文国家标准项目周期一致
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会
执行单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会气体分会
主管部门
国家标准委

翻译承担单位

国内外简要情况说明

锗烷是制造高纯锗和各种硅锗合金的重要原材料,主要用于半导体,光伏太阳能和集成电路行业。

比如,在金属有机物化学气相沉积工艺中,锗烷常和硅烷,通过特气系统的输送,作为气体原材料,生成硅-锗薄膜。

在半导体集成电路电子器件制造中,锗烷作为硅-锗膜的前驱气体,参与制造。

如在异质结二极晶体管中,薄硅锗层作为二极晶体管的基底生长在硅片上,与传统的硅二极晶体管相比,硅-锗异质结二极晶体管在速度、响应频率和增益上具有明显的优势,其速度和频率响应可以与更昂贵的镓-砷异质结二极晶体管相比。

全球电子锗烷市场报告显示,预计2029年全球电子锗烷市场规模将达到3.8亿美元,未来几年年复合增长率为11.6%。

近年来,随着大规模集成电路技术的进步,市场对电子气体的纯度和质量提出了越来越高的要求。

在此背景下,为提升电子特气科技水平发展,现申请立项制定《电子气体 锗烷》国家标准英文版。