《微机电系统（MEMS）技术 硅通孔三维结构可靠性评价要求》由TC336（全国微机电技术标准化技术委员会）归口上报及执行，主管部门为国家标准委。

射频MEMS硅通孔三维结构是当今世界三维堆叠集成技术发展的重要领域，是适应和满足军用装备集成化、小型化、综合化、智能化发展的最佳技术途径。

国内从“十一五”开始有组织地进行三维集成技术的研究与开发，相关技术及产品已被广泛的应用于工程项目中。

针对射频MEMS 硅通孔微波匹配、微波屏蔽、寄生效应、电磁兼容等射频特性，国外还没有公开发布射频MEMS 硅通孔三维结构相关的可靠性试验标准，无法有效指导射频 MEMS 硅通孔三维结构的可靠性评价。

标准涉及的定义术语居多，可靠性方面未明确具体的试验应力条件、试验程序、测试方法及合格判据，国内SJ/T 11707《硅通孔几何测量技术》也只是术语定义，针对射频MEMS 硅通孔，没有相关的检测评价方法。