《碳化硅外延层厚度的测试 红外反射法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口上报，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准委。

2014年初，美国宣布成立“下一代功率电子技术国家制造业创新中心”，期望通过加强第三代半导体技术的研发和产业化，使美国占领下一代功率电子产业这个正出现的规模最大、发展最快的新兴市场，并为美国创造出一大批高收入就业岗位。

日本也建立了“下一代功率半导体封装技术开发联盟”，共同开发适应SiC等下一代功率半导体特点的先进封装技术。

我国政府高度重视第三代半导体材料的研究与开发，《战略性新兴产业分类（2018）》中3.4.3.1半导体晶体制造-3985*-电子专用材料制造（碳化硅）；《新材料标准领航行动计划（2018-2020年）》中二、主要行动-（二）4先进半导体材料明确提及建立碳化硅标准；《新材料产业发展指南》中三、发展方向（二）中明确提及宽禁带半导体材料；《重点新材料首批次应用示范指导目录（2018年版）》中关键战略材料-三、第141项对应碳化硅外延片。

基于碳化硅材料的电力电子器件作为新兴的第三代半导体器件的杰出代表，与传统的硅器件相比较，碳化硅器件工作电压、工作频率可以达到硅器件的10倍，电流密度达到硅器件的4倍，功率损耗和装置体积可减小50%以上，可在200℃高温工作，可靠性更高，性能优势明显。

碳化硅器件在新能源光伏逆变器、新能源汽车、以及智能电网领域具有良好的应用前景。

根据Yolo公司的统计数据，到2020年，6英寸碳化硅晶圆的市场需求将超过14万片。

预计2020-2025年，6英寸晶圆将从8万片增长到50万片；2025-2030年，6英寸晶圆将增长至100万片。

目前国内外碳化硅外延方面的标准体系尚不健全，国家标准的外文版有利于国内标准走向国际，提升国内企业在行业内竞争力和影响力，在国际商业竞争中取得话语权。

。