《CMOS集成电路抗辐射加固设计要求》由TC425（全国宇航技术及其应用标准化技术委员会）归口上报及执行，主管部门为国家标准委。

CMOS工艺是集成电路制造的主流工艺，目前工艺特征尺寸已达纳米级。

CMOS集成电路已广泛应用在各种电子系统中。

随着国际上航天技术、空间技术、核能技术等技术的飞速发展，CMOS集成电路以其集成度高、功耗低等优点大量应用于航天、空间以及核能等领域。

这就要求工作在辐射环境的CMOS集成电路具有抗辐射能力，从而增强系统工作的可靠性。

本文件规定了基于标准亚微米、深亚微米及纳米体硅CMOS工艺的集成电路抗辐射加固设计的一般要求和基本方法，可作为指导国际合作项目中CMOS数字、模拟和数模混合集成电路抗辐射加固设计的依据。

通过本标准的外文版翻译，对于促进国际商业航天合作，推动我国国产CMOS集成电路产业出口具有重要意义。

在实践和发展过程中，从实际的角度出发，需要CMOS集成电路的相关标准，规范CMOS集成电路要求，为我国CMOS集成电路工艺研究相关技术和产品出口提供重要技术支撑。