国家标准项目《半导体器件 分立器件 第4部分：微波二极管和晶体管》由 TC78（全国半导体器件标准化技术委员会）归口 ，主管部门为工业和信息化部（电子）。

主要起草单位 中国电子科技集团公司第五十五研究所 、中国电子技术标准化研究院 、中国电子科技集团公司第十三研究所 。

本标准修改采用IEC国际标准：IEC 60747-4:2007+AMD1:2017 CSV。

采标中文名称:半导体器件 分立器件 第4部分：微波二极管和晶体管。

规定了各类微波二极管、双极型晶体管和场效应晶体管的要求。 主要技术内容包括微波二极管及微波晶体管两大类微波分立器件的定义、基本额定值、电特性、电性能测试方法和验证方法。 本文件代替GB/T 20516-2006《半导体器件 分立器件 第4部分：微波器件》,与GB/T 20516-2006相比，除文件章条结构调整外，主要内容变化如下： ——文件名称由《半导体器件 分立器件 第4部分：微波器件》改为《半导体器件 分立器件 第4部分：微波二极管和晶体管》； ——增加了PIN二极管内容（第7章）； ——增加了噪声二极管内容（第8章）； ——增加了双极型晶体管内容（第9章）； ——场效应晶体管（第10章）中，增加了概述(见10.1)；删除了“温度”和“其他定义”（见GB/T 20516-2006第Ⅶ篇第2章2.2.1和2.2.5）的术语和定义；增加了“栅-漏击穿电压”（见10.2.3）、“频率”（见10.2.5）等术语和定义；增加了“漏一源短路时的栅极电流”（见10.4.2.2）、“栅一漏击穿电压”（见10.4.2.5）等测试方法；增加了验证方法（见10.5）。