国家标准计划《银蒸发料》由 TC243（全国有色金属标准化技术委员会）归口，TC243SC5（全国有色金属标准化技术委员会贵金属分会）执行 ，主管部门为中国有色金属工业协会。

主要起草单位 有研亿金新材料有限公司 、贵研铂业股份有限公司 、紫金矿业集团黄金冶炼有限公司 、北京达博有色金属焊料有限责任公司 、有研亿金新材料（山东）有限公司 。

作为国家发展的重要科学领域，我国政府高度重视电子制造业新材料产业的发展，在《“十四五”原材料工业发展规划》、《中国制造2025》和《新材料产业发展指南》等国家层面的相关规划中都将“高纯金属及合金等新材料”，作为重点领域急需突破的材料。

针对新材料的发展，国家也提出了更高的要求，按照国家发展规划要求，到2025年，原材料工业初步形成更高质量、更好效益、更优布局、更加绿色、更为安全的产业发展格局，到2035年，成为世界重要原材料产品的研发、生产、应用高地，产业体系安全自主可控。

随着半导体制造工艺的发展，集成电路的集成度越来越高，互联线宽度不断减小，材料的纯度和杂质含量直接影响着电子薄膜性能，因此用户对高纯银蒸发料提出非常严格的要求。

国内现有的银蒸发料相关标准，对蒸发料尺寸及纯度的规定已不适用于现如今集成电路的发展需要。

为了保证银蒸发料产品的稳定性和可靠性，尽快制定银蒸发料的新版国家标准是十分必要的。

银蒸发料是集成电路金属化工艺中采用物理气相沉积方法制备薄膜的关键材料。

高纯银具有良好的导电导热性，半导体产业的高度精密化和复杂化，纯银(≥4N)蒸发料，稳定性较差不能满足高品质的芯片要求。

现行业中高端芯片已使用(≥5N)蒸发料，相对比4N银蒸发料具有更好的蒸镀性能，镀膜具有高致密度，组织均匀分布的特性。

目前市场有许多家企业可以提供该类产品，由于旧版标准的不适用性，导致市场上银蒸发料产品质量及规格多种多样，新版标准的制定为半导体用银蒸发料提供可以依据参考的规范，旨在保证产品的稳定性及可靠性，促进产品质量的提高，确保产品生产、检验及验收标准的规范及统一。

原标准GB/T 26309-2010《银蒸发料》主要涉及纯银蒸发料，主要规定了银蒸发料的要求、实验方法、检验规则和标志、包装、运输、贮存及质量证明书与订货单（或合同）内容。

本次修订标准GB/T 26309-2010，主要增加了以下内容： （1）银蒸发料纯度：提高了银的纯度至5N； （2）增加了4N5、5N银蒸发料化学成分表； （3）在原标准的基础上增加蒸发料尺寸及公差要求。

蒸发料是用于物理气相沉积(PVD)蒸发镀膜工艺中关键支持材料。

在真空条件下利用电子束或热源加热金属蒸发料，使其从固态转变成气态，形成原子并以直线运动方式运送，最终凝结并沉积在衬底（硅片）上而形成薄膜，用以保护电子材料，维持元器件的性能和稳定性。

由于材料的纯度和杂质含量直接影响着电子薄膜性能，若银蒸发料中金属杂质元素含量过高，则真空蒸发形成薄膜的电性能不佳；若银蒸发料气体含量较高或者内部存在气孔、夹杂等缺陷，则在蒸发镀膜过程中，易出现飞溅问题，在晶圆表面形成颗粒，导致互联线短路或断路，大大降低薄膜良率。

因此应尽可能降低银蒸发料内部杂质元素含量以保证表面薄膜质量。

本标准涉及银蒸发料的要求、实验方法、检验规则和标志、包装、运输、贮存及质量证明书与订货单（或合同）内容。 本标准适用于银蒸发料。主要研究内容包括半导体电子器件用银靶材开展通用系列化研究，确定银蒸发料各纯度杂质元素含量要求，蒸发料尺寸及公差要求，具体如下： （1）银蒸发料纯度：提高了银的纯度至5N； （2）增加了4N5、5N银蒸发料化学成分表； （3）在原标准的基础上增加蒸发料尺寸及公差要求。